řada: SuperFET II MOSFET Typ N-kanálový 76 A 600 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

5 002,98 Kč

(bez DPH)

6 053,61 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 270 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.

Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 120166,766 Kč5 002,98 Kč
150 - 270144,742 Kč4 342,26 Kč
300 +138,238 Kč4 147,14 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-1458
Výrobní číslo:
FCH041N60F
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

76A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

SuperFET II

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

41mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

277nC

Maximální ztrátový výkon Pd

595W

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

15.87mm

Výška

20.82mm

Automobilový standard

Ne

SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.

Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.