MPN

řada: E MOSFET SIHP065N60E-GE3 Typ N-kanálový 40 A 600 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 134-9709
Výrobní číslo:: SIHP065N60E-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E MOSFET SIHP065N60E-GE3 Typ N-kanálový 40 A 600 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

168,70 Kč

(bez DPH)

204,13 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 10. listopadu 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
1 - 9	168,70 Kč
10 - 24	163,02 Kč
25 - 49	154,38 Kč
50 - 99	148,20 Kč
100 +	139,56 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 134-9709
Výrobní číslo:: SIHP065N60E-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	40A
	Maximální napětí na zdroji Vds	600V
	Řada	E
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	65mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	49nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	250W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	10.51mm
	Výška	15.49mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A
	Maximální napětí na zdroji Vds 600V
	Řada E
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 250W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 10.51mm
	Výška 15.49mm
	Automobilový standard Ne

N-Channel MOSFET, řada E, nízkoúrovňový polovodičový systém Vishay Semiconductor

Výkonové tranzistory MOSFET řady E od Vishay jsou tranzistory s vysokým napětím, které obsahují mimořádně nízký maximální odpor, nízké hodnoty výkonu a rychlé přepínání. Jsou k dispozici v široké škále aktuálních hodnocení. Mezi typické aplikace patří servery a telekomunikační napájecí zdroje, osvětlení LED, konvertory flyback, korekce účiníku (PFC) a napájecí zdroje v režimu přepínání (SMPS).

Charakteristiky

Nízká kvalita (FOM) RDS(on) x QG

Nízká vstupní kapacita (Ciss)

Nízká odolnost (RDS(on))

Mimořádně nízké nabití zadní výklopné stěny (QG)

Rychlé spínání

Snížené ztráty ve spínaní a vedení

Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.