řada: RQ3L050GN MOSFET RQ3L050GNTB N-kanálový 12 A 60 V, HSMT, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1 Jednoduchý

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
133-3297
Výrobní číslo:
RQ3L050GNTB
Výrobce:
ROHM
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

ROHM

Řada

RQ3L050GN

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

12 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

60 V

Typ balení

HSMT

Počet kolíků

8

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Přímé napětí (Vf)

1.2 V

Výška

850 μm

Délka

3.3 mm

Maximální odpor zdroje (Rds)

86 mΩ

Maximální napětí zdroje brány (Vgs)

20 V, -20 V

Maximální provozní teplota

150 °C

Maximální ztrátový výkon (Pd)

14.8 W

Typ montáže

Povrch

Šířka

3.1 mm

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.