řada: HT8K MOSFET HT8KE6TB1 N-kanálový 13 A 100 V, HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 264-876
- Výrobní číslo:
- HT8KE6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
201,55 Kč
(bez DPH)
243,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 20,155 Kč | 201,55 Kč |
| 100 - 240 | 19,143 Kč | 191,43 Kč |
| 250 - 490 | 17,735 Kč | 177,35 Kč |
| 500 - 990 | 16,327 Kč | 163,27 Kč |
| 1000 + | 15,709 Kč | 157,09 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-876
- Výrobní číslo:
- HT8KE6TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Řada | HT8K | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 57mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 14W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Řada HT8K | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 57mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 14W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM má duální N-kanálovou konfiguraci s jmenovitým napětím 100 V a proudovou kapacitou 13 A. Je navržen v pouzdře HSOP8 a nabízí nízký zapínací odpor.
Nízký odpor při zapnutí
Malé pouzdro pro povrchovou montáž (HSOP8)
Bezolovnaté pokovení a shoda s RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- řada: HT8K MOSFET HT8KE5TB1 N-kanálový 7 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- MOSFET RQ3P300BHTB1 N-kanálový 39 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L060BGTB1 N-kanálový 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L070BGTB1 N-kanálový 20 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RH6R025BH MOSFET N-kanálový 25 A 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RH6R025BH MOSFET RH6R025BHTB1 N-kanálový 25 A 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3G100GN MOSFET RQ3G100GNTB N-kanálový 27 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RH6 MOSFET RH6L040BGTB1 N-kanálový 65 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1