řada: RH6 MOSFET RH6L040BGTB1 Typ N-kanálový 65 A 60 V, HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 264-934
- Výrobní číslo:
- RH6L040BGTB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
205,75 Kč
(bez DPH)
248,96 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 870 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 20,575 Kč | 205,75 Kč |
| 100 - 240 | 19,538 Kč | 195,38 Kč |
| 250 - 490 | 18,105 Kč | 181,05 Kč |
| 500 - 990 | 16,648 Kč | 166,48 Kč |
| 1000 + | 16,055 Kč | 160,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-934
- Výrobní číslo:
- RH6L040BGTB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 65A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Řada | RH6 | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 59W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 65A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Řada RH6 | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 59W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
ROHM Nch 60V 65A HSMT8 je výkonový MOSFET s nízkým zapínacím odporem, vhodný pro spínání, pohony motorů, stejnosměrné nebo stejnosměrné měniče.
Malé balení pro povrchovou montáž
Pokovování bez obsahu Pb
V souladu s RoHS
Související odkazy
- MOSFET RQ3P300BHTB1 Typ N-kanálový 39 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L060BGTB1 Typ N-kanálový 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L070BGTB1 Typ N-kanálový 20 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RH MOSFET RH6N040BHTB1 Typ P-kanálový 65 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- řada: RH6R025BH MOSFET Typ N-kanálový 25 A 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RH6R025BH MOSFET RH6R025BHTB1 Typ N-kanálový 25 A 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3G100GN MOSFET RQ3G100GNTB Typ N-kanálový 27 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HT8 MOSFET HT8KC6TB1 Typ N-kanálový 15 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2