řada: HEXFET MOSFET IRLB3036PBF N-kanálový 270 A 60 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-9025
- Výrobní číslo:
- IRLB3036PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
3 482,70 Kč
(bez DPH)
4 214,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 17. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 69,654 Kč | 3 482,70 Kč |
| 100 - 200 | 53,639 Kč | 2 681,95 Kč |
| 250 + | 50,151 Kč | 2 507,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-9025
- Výrobní číslo:
- IRLB3036PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 270A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 91nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 380W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.02mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 270A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 91nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 380W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.02mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Tranzistor MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 270 A – IRLB3036PBF
Tento MOSFET je napájecí spínací tranzistor navržený pro vysokoproudové spínání s nízkými ztrátami v průmyslových prostředích. Jedná se o zesilovací zařízení s N-kanálem umístěné v pouzdru TO-220 s průchozím otvorem, určené pro aplikace vyžadující podstatný nepřetržitý vypouštěcí proud a robustní tepelnou odolnost v širokém rozsahu prostředí.
Charakteristiky a výhody:
• Velmi nízký odpor při zapnutí 2 mΩ pro menší ztráty při vedení
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 270 A pro zvládnutí těžkých zátěží
• Maximální ztrátový výkon 380 W pro spínání s vysokým výkonem
• Jmenovité napětí drain-source 60 V pro systémy se středním napětím
• Typický náboj hradla 91 nC umožňující předvídatelné spínání
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 270 A pro zvládnutí těžkých zátěží
• Maximální ztrátový výkon 380 W pro spínání s vysokým výkonem
• Jmenovité napětí drain-source 60 V pro systémy se středním napětím
• Typický náboj hradla 91 nC umožňující předvídatelné spínání
Aplikace
• Vhodné pro stupně pohonu motoru v průmyslových zařízeních
• Ideální pro napájecí zdroje a měniče DC/DC
• Používá se s vysokoproudým přepínáním při řízení baterií
• Lze použít pro výstupní stupně měničů ve středně napěťových systémech
• Ideální pro napájecí zdroje a měniče DC/DC
• Používá se s vysokoproudým přepínáním při řízení baterií
• Lze použít pro výstupní stupně měničů ve středně napěťových systémech
Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat?
Zařízení nesmí překročit ±16 V mezi hradlem a zdrojem, aby se zabránilo namáhání oxidem hradla.
Jak tepelný rozsah ovlivňuje nasazení?
Pracuje v teplotách -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných podmínkách a scénářích se zvýšenými spoji.
Jaká je charakteristika přímého vedení, když dioda těla vede?
Proudové napětí je obvykle 1,3 V během vedení diody, což ovlivňuje výpočty ztrát v intervalech synchronního nebo volnoběhu.
Jaké úvahy o balení a montáži platí pro rozptyl tepla?
Dodává se ve formátu TO-220 s průchozím otvorem, který usnadňuje přímé připojení chladiče pro lepší řízení teploty.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3006PBF N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP3006PBF N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLS3036TRLPBF N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3006PBF N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení