řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 260-5868
- Výrobní číslo:
- IRFP3006PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (25 jednotky/-ek, do tubusu po 25 ks)*
2 045,15 Kč
(bez DPH)
2 474,63 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 700 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 81,806 Kč | 2 045,15 Kč |
| 50 - 100 | 77,716 Kč | 1 942,90 Kč |
| 125 - 225 | 74,446 Kč | 1 861,15 Kč |
| 250 - 475 | 71,176 Kč | 1 779,40 Kč |
| 500 + | 67,895 Kč | 1 697,38 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 260-5868
- Výrobní číslo:
- IRFP3006PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 270A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 200nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 375W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 5.31mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.7mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 270A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 200nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 375W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 5.31mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.7mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na drenáži 270 A, maximální napětí zdroje na drenáži 60 V - IRFP3006PBF
Tento vysoce výkonný tranzistor MOSFET je důležitou součástí moderních elektronických aplikací a je navržen s ohledem na zvýšenou účinnost a spolehlivost. Rozměry tohoto pouzdra TO-247 jsou délka 15,87 mm, šířka 5,31 mm a výška 20,7 mm. Efektivně funguje v různých prostředích a je významným přínosem pro řízení spotřeby.
Charakteristiky a výhody
• Vysoký trvalý vypouštěcí proud 270 A pro náročné požadavky
• 60V drain-source pro všestranné použití
• Maximální příkon 375 W podporuje robustní výkon
• Vylepšená lavinová schopnost pro lepší ochranu systému
• Průchozí montáž zajišťuje pevnou a spolehlivou instalaci
Aplikace
• Používá se v systémech synchronního usměrňování s vysokou účinností
• Ideální pro zdroje nepřerušovaného napájení, které zajišťují spolehlivost
• Efektivní při vysokorychlostním spínání napájení
• Vhodné pro pevně spínané a vysokofrekvenční obvody
Jaký tepelný výkon lze očekávat za trvalých provozních podmínek?
Díky maximální provozní teplotě +175 °C spolehlivě zvládá vysoké tepelné zatížení a tepelný odpor od spoje ke skříni podporuje účinný odvod tepla.
Jak přispívá prahové napětí hradla k jeho výkonu v obvodech?
Je vybaven maximálním prahovým napětím hradla 4 V, což zajišťuje, že řídicí signály účinně aktivují MOSFET a poskytují součinnost s řídicími obvody s nižším napětím.
Jaké důsledky má nízké Rds(on) pro účinnost obvodu?
Nízký zapínací odpor 2,5 mΩ výrazně snižuje energetické ztráty, čímž zvyšuje celkovou účinnost obvodu, zejména v aplikacích náročných na spotřebu energie, což se projevuje nižší produkcí tepla a lepší udržitelností výkonu.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFP3006PBF N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 270 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 43 A 43 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 57 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 327 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 50 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení