řada: MDmesh DM2 MOSFET STW35N60DM2 Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

227,73 Kč

(bez DPH)

275,554 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 6 jednotka(y) budou odesílané od 30. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8113,865 Kč227,73 Kč
10 - 18108,185 Kč216,37 Kč
20 - 4897,565 Kč195,13 Kč
50 - 9894,97 Kč189,94 Kč
100 +92,625 Kč185,25 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
111-6482
Výrobní číslo:
STW35N60DM2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

28A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

MDmesh DM2

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

110mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

54nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Maximální ztrátový výkon Pd

210W

Přímé napětí Vf

-6.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

20.15mm

Šířka

5.15 mm

Normy/schválení

No

Délka

15.75mm

Automobilový standard

Ne

Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics


Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.

Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému

Certifikát podle normy AEC-Q101

Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics


Související odkazy