řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

633,30 Kč

(bez DPH)

766,30 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 - 9563,33 Kč
100 - 49549,598 Kč
500 +41,892 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
111-6459P
Výrobní číslo:
STB18N60DM2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

12A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

MDmesh DM2

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

290mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

90W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

20nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

4.6mm

Délka

9.35mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics


Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.

Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému

Certifikát podle normy AEC-Q101

Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics


Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.