řada: MDmesh DM2 MOSFET N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 111-6459P
- Výrobní číslo:
- STB18N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 111-6459P
- Výrobní číslo:
- STB18N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | MDmesh DM2 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 290mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25, +25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 9.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada MDmesh DM2 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 290mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25, +25V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 9.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101