řada: MDmesh MOSFET STF13NM60N N-kanálový 11 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový STMicroelectronics Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 103-1999
- Výrobní číslo:
- STF13NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 103-1999
- Výrobní číslo:
- STF13NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 11 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 600 V | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Výška | 16.4 mm | |
| Délka | 10.4 mm | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 360 mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány (Vgs) | 25 V, -25 V | |
| Maximální provozní teplota | 150 °C | |
| Maximální ztrátový výkon (Pd) | 25 W | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Řada MDmesh | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 11 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 600 V | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Výška 16.4 mm | ||
Délka 10.4 mm | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 360 mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány (Vgs) 25 V, -25 V | ||
Maximální provozní teplota 150 °C | ||
Maximální ztrátový výkon (Pd) 25 W | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Šířka 4.6 mm | ||
N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
All features
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET STF13NM60N N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 Výkonový MOSFET N-kanálový 11 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP12NM50FP N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 MOSFET STF6N95K5 N-kanálový 9 A 950 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 Výkonový MOSFET STF15N65M5 N-kanálový 11 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M2 Výkonový MOSFET N-kanálový 13 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 Výkonový MOSFET N-kanálový 8 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
