řada: MDmesh MOSFET STP12NM50FP Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

2 288,20 Kč

(bez DPH)

2 768,70 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 900 jednotka(y) budou odesílané od 02. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
50 - 45045,764 Kč2 288,20 Kč
500 +43,48 Kč2 174,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
151-409
Výrobní číslo:
STP12NM50FP
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

21A

Maximální napětí na zdroji Vds

500V

Typ balení

TO-220FP

Řada

MDmesh

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

350mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±30 V

Přímé napětí Vf

1.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

28nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

30.6mm

Délka

15.85mm

Normy/schválení

RoHS

Šířka

10.4 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový výkonový tranzistor MOSFET společnosti STMicroelectronics, Toto zařízení bylo vyvinuto pomocí technologie MDmesh, která spojuje proces s vícenásobným odtokem s horizontálním uspořádáním společnosti PowerMESH. Tato zařízení se vyznačují extrémně nízkým zapínacím odporem, vysokým dv/dt a vynikajícími lavinovými vlastnostmi. Tyto výkonové tranzistory MOSFET využívají patentovanou techniku páskování společnosti ST a vyznačují se celkovým dynamickým výkonem, který je lepší než u podobných výrobků na trhu.

100% lavinově testováno

Nízká vstupní kapacita a náboj hradla

Nízký vstupní odpor hradla

Související odkazy