řada: STB Series MOSFET STB25N018M9 N-kanálový 56 A 250 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Režim
- Skladové číslo RS:
- 839-144
- Výrobní číslo:
- STB25N018M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
136,34 Kč
(bez DPH)
164,97 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 136,34 Kč |
| 10 - 99 | 89,41 Kč |
| 100 - 499 | 66,20 Kč |
| 500 - 999 | 59,53 Kč |
| 1000 + | 50,14 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 839-144
- Výrobní číslo:
- STB25N018M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 56A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | STB Series | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 85nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 320W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | ROHS | |
| Délka | 10.3mm | |
| Výška | 4.5mm | |
| Šířka | 10mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 56A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada STB Series | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 85nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 320W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení ROHS | ||
Délka 10.3mm | ||
Výška 4.5mm | ||
Šířka 10mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET STMicroelectronics je součást Super-spojky s N-kanálem postavená na technologii Advanced MDmesh M9. Umožňuje menší a kompaktnější uspořádání bez ohrožení tepelné kapacity.
Typ pouzdra pro povrchovou montáž D2PAK
Výrobní proces s více drainami na bázi křemíku
Nízké nabíjení hradla s vynikající účinností
Zlepšená schopnost dv/dt a avalanová zkouška
Související odkazy
- řada: STB Series MOSFET STB25N018M9 N-kanálový 56 A 250 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Režim
- řada: STB MOSFET N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STB MOSFET STB18N60M6 N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STB MOSFET STB45N60DM6 N-kanálový 30 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- řada: SCT MOSFET SCT3040KW7TL N-kanálový 56 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový N
- MOSFET N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHB240N65E-GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STB80NF55-06T4 N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení