řada: STB MOSFET STB45N60DM6 N-kanálový 30 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

164,75 Kč

(bez DPH)

199,35 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 989 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +164,75 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
214-851
Výrobní číslo:
STB45N60DM6
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

30A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-263

Řada

STB

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

2

Maximální odpor zdroje Rds

99mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

44nC

Maximální ztrátový výkon Pd

210W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25V

Přímé napětí Vf

1.6V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

10.4mm

Normy/schválení

RoHS

Délka

15.85mm

Výška

4.6mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics je součástí řady diod s rychlou obnovou MDmesh DM6. V porovnání s předchozí rychlou generací MDmesh kombinuje DM6 velmi nízký náboj zotavení (Qrr), dobu zotavení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na plochu s jedním z nejúčinnějších spínacích chování dostupných na trhu pro nejnáročnější topologie můstků s vysokou účinností a měniče s fázovým posunem ZVS.

Extrémně vysoká odolnost dv/dt

Zenerova ochrana

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.