řada: STB MOSFET STB45N60DM6 Typ N-kanálový 30 A 600 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-851
- Výrobní číslo:
- STB45N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
93,61 Kč
(bez DPH)
113,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 990 jednotka(y) budou odesílané od 17. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 93,61 Kč |
| 10 - 99 | 92,38 Kč |
| 100 - 499 | 91,64 Kč |
| 500 + | 90,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-851
- Výrobní číslo:
- STB45N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | STB | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 2 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 99mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 210W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.85mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada STB | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 2 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 99mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 210W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.85mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics je součástí řady diod s rychlou obnovou MDmesh DM6. V porovnání s předchozí rychlou generací MDmesh kombinuje DM6 velmi nízký náboj zotavení (Qrr), dobu zotavení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na plochu s jedním z nejúčinnějších spínacích chování dostupných na trhu pro nejnáročnější topologie můstků s vysokou účinností a měniče s fázovým posunem ZVS.
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: STB MOSFET STB45N60DM6 Typ N-kanálový 30 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 2 kolíkový Vylepšení
- řada: STB MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STB MOSFET STB18N60M6 Typ N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STB80NF55-06T4 Typ N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP12NM50 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení