řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMTA65R075M2HXTMA1 N kanál-kanálový 30 A 650 V Infineon, TO-LL, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 762-923
- Výrobní číslo:
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
131,90 Kč
(bez DPH)
159,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 131,90 Kč |
| 10 - 99 | 87,69 Kč |
| 100 - 499 | 63,23 Kč |
| 500 - 999 | 60,52 Kč |
| 1000 + | 54,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 762-923
- Výrobní číslo:
- IMTA65R075M2HXTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-LL | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 141W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 8.2mm | |
| Délka | 8.2mm | |
| Výška | 1.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-LL | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 141W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 8.2mm | ||
Délka 8.2mm | ||
Výška 1.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
MOSFET CoolSiC společnosti Infineon nabízí bezkonkurenční výkon, vynikající spolehlivost a velkou snadnost použití. Umožňuje nákladově efektivní, vysoce efektivní a zjednodušené návrhy, které splňují neustále rostoucí požadavky systému a trhu.
Mimořádně nízké spínací ztráty
Zvyšuje robustnost a spolehlivost systému
Usnadňuje snadné použití a integraci
Snižuje velikost, hmotnost a hmotnost materiálů systémů
Související odkazy
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMT44R011M2HXTMA2 N kanál-kanálový 144 A 440 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMT44R025M2HXTMA2 N kanál-kanálový 68 A 440 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMT44R015M2HXTMA2 N kanál-kanálový 111 A 440 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMW65R075M2HXKSA1 N kanál-kanálový 74 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMZA65R075M2HXKSA1 N kanál-kanálový 26.6 A 650 V Infineon počet kolíků: 4
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMLT65R075M2HXTMA1 N kanál-kanálový 74 A 650 V Infineon počet kolíků: 16
- řada: CoolSiC Výkonový MOSFET IMBG65R075M2HXTMA1 N kanál-kanálový 28 A 650 V Infineon počet kolíků: 7
- řada: CoolSiC MOSFET 650 V G1 MOSFET IMT65R048M1HXUMA1 Typ N-kanálový 50 A 650 V Infineon počet kolíků: 8