řada: STP25 Výkonový MOSFET STP25N018M9 N-kanálový 56 A 250 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 711-524
- Výrobní číslo:
- STP25N018M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
123,99 Kč
(bez DPH)
150,03 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 123,99 Kč |
| 10 - 99 | 64,71 Kč |
| 100 - 499 | 59,03 Kč |
| 500 + | 48,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 711-524
- Výrobní číslo:
- STP25N018M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 56A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STP25 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 320W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 56A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STP25 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 320W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Šířka 10.4mm | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics je založen na nejinovativnější technologii super-spojky MDmesh M9, která je vhodná pro středně/vysokonapěťové MOSFET s velmi nízké RDS(on) na plochu. Technologie M9 na bázi křemíku těží z výrobního procesu s více odtoky, který umožňuje vylepšenou strukturu zařízení. Výsledný produkt má jeden z nižších odporů při zapnutí a snížené hodnoty náboje hradla mezi všemi silikonovými rychlospínacími super-spojovacími výkonovými MOSFETy, díky čemuž je obzvláště vhodný pro aplikace, které vyžadují vynikající hustotu výkonu a vynikající účinnost.
Velmi nízký FOM (RDS(on)·Qg)
Vyšší kapacita dv/dt
Vynikající spínací výkon
Snadné ovládání
100% lavinový test
Související odkazy
- řada: STB Series MOSFET STB25N018M9 N-kanálový 56 A 250 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Režim
- řada: STW MOSFET STWA60N043DM9 N-kanálový 56 A STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UltraFET MOSFET N-kanálový 56 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 18.5 A TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFB260NPBF N-kanálový 56 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UltraFET MOSFET HUF75639P3 N-kanálový 56 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STGP8NC60KD STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení