řada: HT8MD5HT Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MD5HTB1 Duální N-kanálový 80 V ROHM, HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 687-385
- Výrobní číslo:
- HT8MD5HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
86,45 Kč
(bez DPH)
104,604 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 200 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 43,225 Kč | 86,45 Kč |
| 20 - 48 | 38,285 Kč | 76,57 Kč |
| 50 - 198 | 34,335 Kč | 68,67 Kč |
| 200 - 998 | 27,665 Kč | 55,33 Kč |
| 1000 + | 26,80 Kč | 53,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-385
- Výrobní číslo:
- HT8MD5HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Duální N | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | HT8MD5HT | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 165mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 13.0W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Výška | 0.8mm | |
| Délka | 3.45mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Duální N | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada HT8MD5HT | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 165mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 13.0W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 3.4mm | ||
Výška 0.8mm | ||
Délka 3.45mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM určený pro univerzální elektronické aplikace. Díky konfiguraci s dvojitým N-kanálem a P-kanálem nabízí tato součást výjimečný výkon, který umožňuje efektivní řízení výkonu v motorových pohonech a dalších náročných obvodech. Funkce, jako je nízký odpor při zapnutí, zajišťují minimální ztrátu výkonu během provozu, zatímco pouzdro HSMT8 umožňuje kompaktní rozměry bez ohrožení výkonu. HT8MD5H podporuje široký rozsah napětí a je v souladu s normami RoHS a bez obsahu halogenů, což z něj činí ideální volbu pro návrhy šetrné k životnímu prostředí. Tento tranzistor MOSFET je navržen s ohledem na spolehlivost a je vhodný pro různé aplikace vyžadující robustní výkon za různých podmínek.
Konstrukce s nízkým odporem při zapnutí zvyšují účinnost v napájecích aplikacích
Vysoký výkon v kompaktním pouzdru HSMT8 zjednodušuje integraci
Konstrukce v souladu s RoHS a bez obsahu halogenů podporuje ekologické návrhy
Testováno na 100% Rg a UIS pro spolehlivost v náročných provozních podmínkách
Optimalizováno pro aplikace s pohonem motoru, které zajišťují efektivní řízení výkonu
Široký rozsah napětí zajišťuje univerzálnost v různých elektronických prostředích
Navrženo tak, aby odolávalo maximální teplotě spoje až 150 °C
Související odkazy
- řada: HT8KF6H Jednoduché tranzistory MOSFET HT8KF6HTB1 Duální N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RH6G04 Jednoduché tranzistory MOSFET RH6G040CHTB1 Typ N-kanálový 135 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MC5 Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MC5TB1 Typ P HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MB5 Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MB5TB1 Typ N HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HP8KF7H Jednoduché tranzistory MOSFET HP8KF7HTB1 Duální N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RQ3N MOSFET RQ3N040ATTB1 10 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET RQ3N025ATTB1 P-kanál-kanálový 7 A -80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L060BGTB1 Typ N-kanálový 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
