řada: HT8MD5HT Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MD5HTB1 Duální N-kanálový 9 A 80 V ROHM, HSMT-8, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 687-385
- Výrobní číslo:
- HT8MD5HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 98,80 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
86,45 Kč
(bez DPH)
104,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- Plus 200 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Ks | za jednotku | za pásku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 43,225 Kč | 86,45 Kč | - |
| 20 - 48 | 38,285 Kč | 76,57 Kč | 98,80 Kč |
| 50 - 198 | 34,335 Kč | 68,67 Kč | 444,50 Kč |
| 200 - 998 | 27,665 Kč | 55,33 Kč | 3 112,00 Kč |
| 1000 + | 26,80 Kč | 53,60 Kč | 16 425,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-385
- Výrobní číslo:
- HT8MD5HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Duální N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | HT8MD5HT | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 165mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 13.0W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 3.45mm | |
| Výška | 800μm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Duální N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada HT8MD5HT | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 165mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 13.0W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 3.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 3.45mm | ||
Výška 800μm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Související odkazy
- řada: HT8KF6H Jednoduché tranzistory MOSFET HT8KF6HTB1 Duální N-kanálový 7 A 150 V ROHM počet kolíků: 8
- řada: RH6G04 Jednoduché tranzistory MOSFET RH6G040CHTB1 N-kanálový 135 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MC5 Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MC5TB1 Typ P HSMT-8, počet kolíků: 8
- řada: HT8MB5 Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MB5TB1 Typ N HSMT-8, počet kolíků: 8
- řada: HP8KF7H Jednoduché tranzistory MOSFET HP8KF7HTB1 Duální N-kanálový 18.5 A 150 V ROHM počet kolíků: 8
- AEC-Q101 HSMT-8AG, počet
- AEC-Q101 HSMT-8AG, počet
- řada: RQ3L050GN MOSFET RQ3L050GNTB N-kanálový 12 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1 Jednoduchý
