AEC-Q101, řada: RQ3P120BKFRA Jednoduché tranzistory MOSFET RQ3P120BKFRATCB Typ N-kanálový 100 V ROHM, HSMT-8AG, počet
- Skladové číslo RS:
- 687-380
- Výrobní číslo:
- RQ3P120BKFRATCB
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
87,69 Kč
(bez DPH)
106,104 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 43,845 Kč | 87,69 Kč |
| 20 - 48 | 38,53 Kč | 77,06 Kč |
| 50 - 198 | 34,825 Kč | 69,65 Kč |
| 200 - 998 | 27,91 Kč | 55,82 Kč |
| 1000 + | 27,415 Kč | 54,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-380
- Výrobní číslo:
- RQ3P120BKFRATCB
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | RQ3P120BKFRA | |
| Typ balení | HSMT-8AG | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 58mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 0.9mm | |
| Délka | 3.30mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada RQ3P120BKFRA | ||
Typ balení HSMT-8AG | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 58mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 0.9mm | ||
Délka 3.30mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- JP
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM s N-kanálem je navržen pro efektivní řízení energie v různých aplikacích. Tento MOSFET je schopen odolat napětím odběru-zdroje až 100 V a nepřetržitým jmenovitým proudem ±12 A a vyniká jak v oblasti hustoty výkonu, tak tepelné odolnosti. Kompaktní pouzdro HSMT8AG výrazně snižuje požadavky na prostor na PCB o 64 %, což z něj činí ideální volbu pro moderní elektronické návrhy, které vyžadují spolehlivost a účinnost. Díky certifikaci AEC-Q101 zajišťuje robustní provoz v automobilových aplikacích a slouží široké škále použití od ADAS po řešení osvětlení.
Malé pouzdro s vysokým výkonem optimalizuje prostor na PCB o 64%
Vysoká spolehlivost montáže díky inovativnímu zpracování svorek a pokovení
Certifikace AEC Q101 zajišťuje spolehlivost v automobilových aplikacích
Navrženo pro maximální ztrátu výkonu 40 W pro efektivní řízení tepla
Nízký odpor v zapnutém stavu 58 mΩ zvyšuje účinnost a výkon
Robustní tolerance napětí hradla-zdroje ±20 V rozšiřuje možnosti integrace
Lavinové napětí 8 A a rozptyl energie 5,2 mJ zajišťují dodatečnou ochranu během provozu
Vysoce spolehlivý provoz v rozsahu teplot -55 až +150 °C
Související odkazy
- AEC-Q101 HSMT-8AG, počet
- AEC-Q101 HSMT-8AG, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 HSMT-8AG, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 HSMT-8AG, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8KF6H Jednoduché tranzistory MOSFET HT8KF6HTB1 Duální N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MD5HT Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MD5HTB1 Duální N-kanálový 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RH6G04 Jednoduché tranzistory MOSFET RH6G040CHTB1 Typ N-kanálový 135 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MC5 Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MC5TB1 Typ P HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový