řada: HT8KE6 Pole MOSFET HT8KE6HTB1 Typ N-kanálový 12.5 A 100 V, HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 646-615
- Výrobní číslo:
- HT8KE6HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
192,91 Kč
(bez DPH)
233,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 19,291 Kč | 192,91 Kč |
| 100 - 490 | 16,994 Kč | 169,94 Kč |
| 500 - 990 | 15,24 Kč | 152,40 Kč |
| 1000 + | 12,054 Kč | 120,54 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 646-615
- Výrobní číslo:
- HT8KE6HTB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Pole MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Řada | HT8KE6 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 14W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS, Halogen Free, Pb Free | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Pole MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Řada HT8KE6 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 14W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS, Halogen Free, Pb Free | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET ROHM s nízkým odporem při zapnutí a malým plášťovým pouzdrem s vysokým výkonem vhodným pro spínání a pohony motorů.
Pokovování bez obsahu Pb
Vyhovuje RoHS
Bez halogenů
100% Rg a UIS testováno
Související odkazy
- řada: RQ3N MOSFET RQ3N040ATTB1 10 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET RQ3N025ATTB1 P-kanál-kanálový 7 A -80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L060BGTB1 Typ N-kanálový 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RQ3P300BHTB1 Typ N-kanálový 39 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L070BGTB1 Typ N-kanálový 20 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HT8KF6H Jednoduché tranzistory MOSFET HT8KF6HTB1 Duální N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HT8MD5HT Jednoduché tranzistory MOSFET HT8MD5HTB1 Duální N-kanálový 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: RH MOSFET RH6N040BHTB1 Typ P-kanálový 65 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání