řada: TC1550 Pole MOSFET TC1550TG-G P-kanál, N kanál-kanálový 350 mA 500 V, 8-svodový SOIC (TG), počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 598-873
- Výrobní číslo:
- TC1550TG-G
- Výrobce:
- Microchip
Mezisoučet (1 naviják po 3300 kusech)*
424 505,40 Kč
(bez DPH)
513 651,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 03. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3300 + | 128,638 Kč | 424 505,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 598-873
- Výrobní číslo:
- TC1550TG-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ kanálu | P-kanál, N kanál | |
| Typ produktu | Pole MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 350mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | 8-svodový SOIC (TG) | |
| Řada | TC1550 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 125Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 4.9mm | |
| Normy/schválení | RoHS Certificate of Compliance | |
| Výška | 1.75mm | |
| Šířka | 3.9mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ kanálu P-kanál, N kanál | ||
Typ produktu Pole MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 350mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení 8-svodový SOIC (TG) | ||
Řada TC1550 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 125Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 4.9mm | ||
Normy/schválení RoHS Certificate of Compliance | ||
Výška 1.75mm | ||
Šířka 3.9mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vysokonapěťový N-kanálový a P-kanálový MOSFET společnosti Microchip v 8vodičovém pouzdru SOIC je tranzistor s vylepšeným režimem (normálně vypnutý), který využívá pokročilou svislou strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces společnosti Supertex s křemíkovou hradlicí. Tato kombinace nabízí možnosti manipulace s napájením bipolárních tranzistorů s vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem typickým pro zařízení MOS. Stejně jako u všech konstrukcí MOS je toto zařízení odolné vůči tepelnému úniku a tepelně indukovanému sekundárnímu porušení, což zajišťuje spolehlivý výkon.
Nízká vstupní kapacita
Rychlé spínací rychlosti
Bez sekundárních poruch
Nízký vstupní a výstupní únik
Související odkazy
- Microchip Budič hradla TC427MJA MOSFET 1 1.5 A 8-svodový CERDIP
- Microchip Budič hradla TC426COA713 MOSFET 1 1.5 A SOIC 8-svodového EKG
- řada: TC6320 Pole MOSFET TC6320K6-G P-kanál VDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Microchip
- řada: TC2320 Pole MOSFET TC2320TG-G P-kanál SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Microchip
- řada: HT8KE6 Pole MOSFET HT8KE6HTB1 N-kanálový 12.5 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: HEXFET Pole MOSFET N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET Pole MOSFET IRF7831TRPBF N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: STL Výkonový MOSFET STL320N4F8 N-kanálový 350 A 40 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový