řada: OptiMOS 5 Výkonový MOSFET BSC088N15LS5ATMA1 N-kanálový 87 A 150 V Infineon, PG-TDSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-395
- Výrobní číslo:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
721,24 Kč
(bez DPH)
872,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 27. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 144,248 Kč | 721,24 Kč |
| 50 - 95 | 136,936 Kč | 684,68 Kč |
| 100 + | 126,958 Kč | 634,79 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-395
- Výrobní číslo:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 87A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | PG-TDSON-8 | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 139W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 87A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení PG-TDSON-8 | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 139W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada výkonových MOSFETů Infineon OptiMOS 5 logické úrovně 150 V nabízí stejně vynikající výkon jako produkty OptiMOS 5 150 V s možností provozu s napětím pouhých 4,5 Vgs. Vyznačuje se vylepšeným tepelným managementem a menší složitostí systému.
Velmi nízké spínací ztráty
Přizpůsobeno pro SR, které poskytují 5 V
Vysoce efektivní konstrukce
Související odkazy
- řada: OptiMOS-TM3 MOSFET BSZ440N10NS3GATMA1 N-kanálový 18 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: OptiMOS 5 Výkonový MOSFET BSC105N15LS5ATMA1 N-kanálový 76 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS-TM5 MOSFET ISC025N08NM5LF2ATMA1 N-kanálový 275 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 7 MOSFET IAUCN10S7N021ATMA1 N-kanálový 220 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 7 MOSFET IAUCN08S7N013ATMA1 N-kanálový 274 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: OptiMOS 5 Výkonový MOSFET BSC152N15LS5ATMA1 Typ N-kanálový 55 A 150 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS Power Transistor MOSFET ISC16DP15LMATMA1 Typ P-kanálový -22 A 150 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: OptiMOS 6 Power Transistor MOSFET ISC073N12LM6ATMA1 N-kanálový 86 A 120 V Infineon počet kolíků: 8