řada: TRENCHSTOP IGBT7 MOSFET FF900R17ME7WB11BPSA1 Typ P-kanálový, EconoDUALTM3 Infineon Vyčerpání

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

19 288,60 Kč

(bez DPH)

23 339,21 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 6 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +19 288,60 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-321
Výrobní číslo:
FF900R17ME7WB11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Typ balení

EconoDUALTM3

Řada

TRENCHSTOP IGBT7

Typ montáže

Šroubová svorka

Režim kanálu

Vyčerpání

Přímé napětí Vf

2.5V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
HU
Modul Infineon EconoDUAL 3 1700 V 900 A dual TRENCHSTOP IGBT7 s emitorově řízenou 7 diodou, NTC, kontaktní technologií PressFIT a vlnovou strukturou na základní desce.

Vylepšené terminály

Ovládací kolíky PressFIT a šroubové napájecí svorky

Integrovaný teplotní senzor NTC

Izolovaná základní deska

Kompaktní a robustní konstrukce s lisovanými svorkami

Související odkazy

Recently viewed