řada: IRF7343PbF MOSFET IRF7343TRPBF Typ P, Typ N-kanálový 4.7 A 55 V, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 171-1915
- Výrobní číslo:
- IRF7343TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
225,02 Kč
(bez DPH)
272,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 660 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 22,502 Kč | 225,02 Kč |
| 50 - 90 | 17,537 Kč | 175,37 Kč |
| 100 - 240 | 16,426 Kč | 164,26 Kč |
| 250 - 490 | 15,289 Kč | 152,89 Kč |
| 500 + | 14,178 Kč | 141,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 171-1915
- Výrobní číslo:
- IRF7343TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | IRF7343PbF | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 170mΩ | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Přímé napětí Vf | 0.96V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 5mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada IRF7343PbF | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 170mΩ | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Přímé napětí Vf 0.96V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 5mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nevyhovuje
Infineon IRF7343 je napájecí MOSFET HEXFET s duálním kanálem N- a P- 55V v pouzdru SO-8.
Vyhovuje směrnici RoHS
Nízká hodnota RDS(on)
Dynamické hodnocení dv/dt
Rychlé spínání
Související odkazy
- řada: IRF7343PbF MOSFET Typ P SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vyčerpání 1 Duální
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 49.3 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 42.8 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 51 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 84.8 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 93.6 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 63.7 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání