řada: IPZ MOSFET IPZA60R016CM8XKSA1 Typ N-kanálový 123 A 600 V Infineon, PG-TO247-4, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-268
- Výrobní číslo:
- IPZA60R016CM8XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
445,09 Kč
(bez DPH)
538,56 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 240 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 445,09 Kč |
| 10 - 99 | 401,13 Kč |
| 100 + | 369,27 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-268
- Výrobní číslo:
- IPZA60R016CM8XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 123A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PG-TO247-4 | |
| Řada | IPZ | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 521W | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 171nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS, JEDEC | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 123A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PG-TO247-4 | ||
Řada IPZ | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 521W | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 171nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS, JEDEC | ||
Automobilový standard Ne | ||
Platforma Infineon CoolMOS 8. generace je revoluční technologie pro vysokonapěťové výkonové tranzistory MOSFET, navržená podle principu superjunction(SJ) a poprvé vyvinutá společností Infineon Technologies. Řada CoolMOS CM8 600V je nástupcem CoolMOS 7. Spojuje výhody rychle spínaného SJ MOSFETu s vynikající snadností použití, např. nízkou tendencí k vyzvánění, implementovanou rychlou tělesovou diodou pro všechny výrobky s vynikající odolností proti tvrdé komutaci a vynikající schopností ESD. Extrémně nízké spínací a vodivé ztráty CM8 navíc ještě více zefektivňují spínací aplikace.
Vhodné pro topologie s tvrdým i měkkým spínáním
Snadné použití a rychlý design díky nízké tendenci zvonění
Zjednodušená správa tepla díky naší pokročilé technice připevnění matrice
Vhodné pro širokou škálu aplikací a výkonových rozsahů
Řešení se zvýšenou hustotou výkonu umožněná použitím výrobků s menšími rozměry
Související odkazy
- řada: IPZ MOSFET IPZA60R037CM8XKSA1 Typ N-kanálový 64 A 600 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R050M2HXKSA1 Typ N-kanálový 38 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R020M2HXKSA1 Typ N-kanálový 83 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZA65 MOSFET IMZA65R033M2HXKSA1 Typ N-kanálový 53 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA65R040M2HXKSA1 Typ N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZA65 MOSFET IMZA65R010M2HXKSA1 Typ N-kanálový 144 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolSiC MOSFET IMZA75R016M1HXKSA1 Typ N-kanálový 89 A 750 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: IMZA75 MOSFET IMZA75R008M1HXKSA1 Typ N-kanálový 163 A 750 V počet kolíků: 4 kolíkový