řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R450M1XKSA1 Typ N-kanálový 10 A 1700 V Infineon, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 349-109
- Výrobní číslo:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
207,97 Kč
(bez DPH)
251,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 05. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 207,97 Kč |
| 10 - 99 | 187,23 Kč |
| 100 - 499 | 172,90 Kč |
| 500 - 999 | 160,06 Kč |
| 1000 + | 143,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-109
- Výrobní číslo:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1700V | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ balení | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 390mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 111W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 15V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1700V | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ balení PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 390mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 111W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 15V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET je vysoce výkonný křemíkový karbidový MOSFET navržený pro efektivní výkonové spínání. Je kompatibilní s napětím hradla a zdroje 12 V / 0 V, takže je vhodný pro použití s většinou flyback regulátorů. Díky referenčnímu prahovému napětí hradla (VGS(th)) 4,5 V zajišťuje spolehlivý a efektivní spínací výkon v širokém spektru výkonových aplikací. Tento tranzistor MOSFET je vynikající volbou pro systémy vyžadující provoz při vysokém napětí a vyšší energetické účinnosti.
Velmi nízké spínací ztráty
Plně regulovatelný dv/dt pro optimalizaci EMI
Technologie propojení .XT pro nejlepší tepelný výkon ve své třídě
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R1K0M1XKSA1 Typ N-kanálový 5.4 A 1700 V Infineon počet kolíků: 3
- řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R650M1XKSA1 Typ N-kanálový 7.5 A 1700 V Infineon počet kolíků: 3
- Infineon IGBT IKWH100N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKWH40N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKWH75N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Infineon IGBT IKWH50N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R020M2HXKSA1 Typ N-kanálový 83 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R015M2HXKSA1 Typ N-kanálový 93 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení