řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R1K0M1XKSA1 N-kanálový 5.4 A 1700 V Infineon, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 349-108
- Výrobní číslo:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
296,40 Kč
(bez DPH)
358,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 240 jednotka(y) budou odesílané od 08. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 148,20 Kč | 296,40 Kč |
| 20 - 198 | 133,38 Kč | 266,76 Kč |
| 200 - 998 | 123,005 Kč | 246,01 Kč |
| 1000 - 1998 | 113,99 Kč | 227,98 Kč |
| 2000 + | 102,135 Kč | 204,27 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-108
- Výrobní číslo:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1700V | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ balení | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 880mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 15V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1700V | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ balení PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 880mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 15V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET Infineon řady CoolSiC, napětí zdroje vypouštění 1700 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 5,4 A – IMWH170R1K0M1XKSA1
Tento MOSFET je N-kanálové vylepšovací zařízení z karbidu křemíku určené pro vysokonapěťové napájecí spínání v náročných elektronických systémech. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je namontován prostřednictvím průchozího otvoru, což zajišťuje robustní tepelný kontakt a snadnou montáž do napájecích modulů a diskrétních desek.
Charakteristiky a výhody:
• Maximální napětí drain-zdroj 1700 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 5.4 A podporuje mírné napájecí zátěže
• Maximální ztrátový výkon 70 W zvládá značné tepelné namáhání
• Odpor mezi odvodem a zdrojem 880 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Typický náboj hradla 5.5 nC umožňuje rychlé přechody hradla
• Limit hradla-zdroje 15 V chrání obvody pohonu hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 5.4 A podporuje mírné napájecí zátěže
• Maximální ztrátový výkon 70 W zvládá značné tepelné namáhání
• Odpor mezi odvodem a zdrojem 880 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Typický náboj hradla 5.5 nC umožňuje rychlé přechody hradla
• Limit hradla-zdroje 15 V chrání obvody pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče
• Ideální pro průmyslové přední konce motorových pohonů
• Používá se se správou baterií ve vysokonapěťových systémech
• Lze použít pro stupně měničů obnovitelné energie
• Vhodné pro laboratorní napájecí zdroje a zkušební plošiny
• Ideální pro průmyslové přední konce motorových pohonů
• Používá se se správou baterií ve vysokonapěťových systémech
• Lze použít pro stupně měničů obnovitelné energie
• Vhodné pro laboratorní napájecí zdroje a zkušební plošiny
Jaký způsob montáže vyžaduje pro instalace?
Používá pouzdro s průchozím otvorem, které je kompatibilní s ručním pájením a montáží vlnovým pájením a nabízí pevné mechanické ukotvení pro uspořádání chladičů.
Jak se zařízení vyrovná se zvýšenými okolními teplotami?
Součást je specifikována pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v prostředích s širokou tepelnou proměnlivostí a umožňuje konstrukce s konzervativním snížením hodnoty po celou dobu životnosti.
Jakou elektrickou polaritu a režim řízení by měli konstruktéři očekávat?
Jedná se o zařízení s N-kanálem pracující v režimu zesílení, které vyžaduje kladný pohon hradla-zdroje vzhledem ke zdroji pro zapnutí.
Existují nějaká regulační omezení materiálů relevantní pro zadávání zakázek?
Díl je vyroben tak, aby splňoval směrnici RoHS a splňoval omezení na některé nebezpečné látky pro elektronické součásti.
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R650M1XKSA1 N-kanálový 7.5 A 1700 V Infineon počet kolíků: 3
- řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R450M1XKSA1 N-kanálový 10 A 1700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon IGBT IKWH75N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Infineon IGBT IKWH50N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKWH40N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKWH100N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- AEC-Q100 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R120M1TXKSA1 N-kanálový 22 A 1200 V Infineon
- AEC-Q101 řada: CoolSiC MOSFET AIMZH120R060M1TXKSA1 N-kanálový 38 A 1200 V Infineon
