řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R1K0M1XKSA1 Typ N-kanálový 5.4 A 1700 V Infineon, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 349-108
- Výrobní číslo:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
245,02 Kč
(bez DPH)
296,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 6 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 240 jednotka(y) budou odesílané od 17. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 122,51 Kč | 245,02 Kč |
| 20 - 198 | 110,285 Kč | 220,57 Kč |
| 200 - 998 | 101,64 Kč | 203,28 Kč |
| 1000 - 1998 | 94,23 Kč | 188,46 Kč |
| 2000 + | 84,475 Kč | 168,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-108
- Výrobní číslo:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1700V | |
| Řada | CoolSiC | |
| Typ balení | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 880mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1700V | ||
Řada CoolSiC | ||
Typ balení PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 880mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET je vysoce výkonný křemíkový karbidový MOSFET navržený pro efektivní výkonové spínání. Je kompatibilní s napětím hradla a zdroje 12 V / 0 V, takže je vhodný pro použití s většinou flyback regulátorů. Díky referenčnímu prahovému napětí hradla (VGS(th)) 4,5 V zajišťuje spolehlivý a efektivní spínací výkon v širokém spektru výkonových aplikací. Tento tranzistor MOSFET je vynikající volbou pro systémy vyžadující provoz při vysokém napětí a vyšší energetické účinnosti.
Velmi nízké spínací ztráty
Plně regulovatelný dv/dt pro optimalizaci EMI
Technologie propojení .XT pro nejlepší tepelný výkon ve své třídě
Související odkazy
- řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R450M1XKSA1 Typ N-kanálový 10 A 1700 V Infineon počet kolíků: 3
- řada: CoolSiC MOSFET IMWH170R650M1XKSA1 Typ N-kanálový 7.5 A 1700 V Infineon počet kolíků: 3
- Infineon IGBT IKWH40N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKWH100N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKWH75N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Infineon IGBT IKWH50N65EH7XKSA1 Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R040M2HXKSA1 Typ N-kanálový 46 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET IMW65R020M2HXKSA1 Typ N-kanálový 83 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení