řada: OptiMOS 5MOSFET IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 N-kanálový 789 A 25 V, PG-WHTFN-9, počet kolíků: 9

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Skladové číslo RS:
348-874
Výrobní číslo:
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

789 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Typ balení

PG-WHTFN-9

Series

OptiMOS 5

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

9

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Země původu (Country of Origin):
MY
Napájecí tranzistory Infineon Power MOSFET mají nejnižší RDS(on) v oboru 0,29 mOhm v kombinaci s vynikajícím tepelným výkonem pro snadnou správu ztrátového výkonu. Půdorys brány Centre-Gate je optimalizován pro paralelizaci.

Minimalizované ztráty při vedení
Rychlé spínání
Snížení překmitů napětí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.