AEC-Q101, řada: NVH MOSFET NVH4L032N065M3S Typ N-kanálový 50 A 650 V onsemi, TO-247-4L, počet kolíků: 4 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 327-808
- Výrobní číslo:
- NVH4L032N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
327,77 Kč
(bez DPH)
396,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 444 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 327,77 Kč |
| 10 - 99 | 295,17 Kč |
| 100 - 499 | 272,44 Kč |
| 500 - 999 | 252,43 Kč |
| 1000 + | 205,01 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 327-808
- Výrobní číslo:
- NVH4L032N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | NVH | |
| Typ balení | TO-247-4L | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 44mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 187W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Přímé napětí Vf | 4.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | Pb-Free, RoHS 7a | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada NVH | ||
Typ balení TO-247-4L | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 44mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 187W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Přímé napětí Vf 4.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení Pb-Free, RoHS 7a | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET z karbidu křemíku (SiC) společnosti ON Semiconductor, EliteSiC, je zařízení s napětím 650 V a impedancí 32 mΩ v pouzdře M3S TO-247-4L. Je navržen pro vysoce výkonné výkonové aplikace, nabízí nízký zapínací odpor a vynikající spínací schopnosti. Toto zařízení je ideální pro použití v systémech konverze energie s vysokou účinností, včetně automobilových, průmyslových a obnovitelných zdrojů energie.
Zařízení neobsahují Pb a jsou v souladu s RoHS
Kvalifikace pro automobilový průmysl podle normy AEC Q101
Související odkazy
- řada: NVH MOSFET NVH4L023N065M3S Typ N-kanálový 50 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- AEC-Q101 TO-247-4L, počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: NTH MOSFET NTH4L032N065M3S Typ N-kanálový 50 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N
- řada: NTH MOSFET NTHL032N065M3S Typ N-kanálový 51 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: NTH MOSFET NTH4L023N065M3S Typ N-kanálový 67 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET Typ N-kanálový 102 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET NVH4L020N120SC1 Typ N-kanálový 102 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení