řada: NTH MOSFET NTH4L032N065M3S Typ N-kanálový 50 A 650 V onsemi, TO-247-4L, počet kolíků: 4 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 327-805
- Výrobní číslo:
- NTH4L032N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
216,87 Kč
(bez DPH)
262,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 434 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 216,87 Kč |
| 10 - 99 | 195,62 Kč |
| 100 - 499 | 179,82 Kč |
| 500 - 999 | 166,97 Kč |
| 1000 + | 136,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 327-805
- Výrobní číslo:
- NTH4L032N065M3S
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247-4L | |
| Řada | NTH | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 44mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 187W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247-4L | ||
Řada NTH | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 44mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 187W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET z karbidu křemíku (SiC) společnosti ON Semiconductor, EliteSiC, je zařízení s napětím 650 V a impedancí 32 mΩ v pouzdře M3S TO247-4L. Vyznačuje se velmi nízkým nábojem hradla (QG(tot) = 55 nC) a vysokorychlostním spínáním s nízkou kapacitou (Coss = 114 pF). Zařízení je 100% lavinově testováno, neobsahuje halogenidy a splňuje výjimku 7a směrnice RoHS. Je také bez Pb na druhé úrovni propojení, takže je vhodný pro náročné aplikace výkonové elektroniky.
Vysoká účinnost a snížené spínací ztráty
Robustní a spolehlivý provoz v náročných podmínkách
Ideální pro aplikace v automobilovém průmyslu a pro obnovitelné zdroje energie
Související odkazy
- řada: NTH MOSFET NTHL032N065M3S Typ N-kanálový 51 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: NTH MOSFET NTH4L023N065M3S Typ N-kanálový 67 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTH4L013N120M3S Typ N-kanálový 151 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTH4L018N075SC1 Typ N-kanálový 140 A 750 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET Typ N-kanálový 40 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTHL082N65S3F Typ N-kanálový 40 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTHL023N065M3S Typ N-kanálový 70 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET NVH4L023N065M3S Typ N-kanálový 50 A 650 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový N