řada: OptiMOSMOSFET IQE065N10NM5CGSCATMA1 N-kanálový 85 A 100 V, PG-WHTFN-9, počet kolíků: 9 SiC

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Skladové číslo RS:
284-776
Výrobní číslo:
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

85 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Series

OptiMOS

Typ balení

PG-WHTFN-9

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

9

Režim kanálu

Vylepšení

Materiál tranzistoru

SiC

Počet prvků na čip

1

Výkonový tranzistor Infineon MOSFET s technologií OptiMOS 5 je navržen pro výjimečný výkon v aplikacích synchronního usměrňování a poskytuje vysokou účinnost a spolehlivost. Díky pokročilé technologii MOSFET je ideální volbou pro náročné konstrukce napájecích zdrojů, které zajišťují optimální tepelné řízení a snižují energetické ztráty. Tento tranzistor je navržen pro provoz při napětí 100 V a vykazuje působivou odolnost při 100% lavinovém testování, čímž nabízí jistotu pro průmyslové aplikace.

Optimalizováno pro spínané zdroje napájení
N kanál pro lepší přepínání
Vynikající tepelná odolnost zajišťuje spolehlivost
Bezolovnaté pokovování pro bezpečnost životního prostředí
Bezhalogenové materiály splňují normy IEC

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.