řada: OptiMOSMOSFET IQE046N08LM5CGATMA1 N-kanálový 99 A 80 V, PG-TTFN-9, počet kolíků: 9 SiC

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Typy balení:
Skladové číslo RS:
284-763
Výrobní číslo:
IQE046N08LM5CGATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

99 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Typ balení

PG-TTFN-9

Series

OptiMOS

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

9

Režim kanálu

Vylepšení

Materiál tranzistoru

SiC

Počet prvků na čip

1

Výkonový tranzistor MOSFET společnosti Infineon je určen pro vysoce výkonné spínané zdroje a optimalizuje aplikace, jako je synchronní usměrňování. Jeho inovativní konstrukce MOSFET s N kanálem a logickou úrovní zajišťuje pozoruhodnou účinnost a minimální energetické ztráty. Tento výrobek s tepelnou odolností pro lepší správu při různých teplotách je plně v souladu s normami RoHS a bezhalogenový, takže je šetrný k životnímu prostředí. Je vyroben s důrazem na spolehlivost, prochází rozsáhlým testováním a zajišťuje stálý výkon v náročných průmyslových aplikacích. Pokročilá konstrukce slibuje výjimečné odporové charakteristiky, které umožňují přijímat vysoké proudy pro účinnou konverzi energie.

Optimalizováno pro vysoce výkonné SMPS
N kanálová konstrukce snižuje odpor
Splňuje požadavky RoHS pro bezpečnost životního prostředí
Lavinový test pro zaručenou spolehlivost
Provoz na logické úrovni pro nízká napětí hradel
Vynikající tepelná odolnost pro chladnější provoz
Bez halogenů pro ekologické iniciativy

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.