řada: R65 MOSFET RH6E040BGTB1 Typ N-kanálový 125 A 30 V, HSMT-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 265-310
- Výrobní číslo:
- RH6E040BGTB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
211,19 Kč
(bez DPH)
255,54 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 21,119 Kč | 211,19 Kč |
| 100 - 240 | 20,056 Kč | 200,56 Kč |
| 250 - 490 | 18,574 Kč | 185,74 Kč |
| 500 - 990 | 17,142 Kč | 171,42 Kč |
| 1000 + | 16,475 Kč | 164,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 265-310
- Výrobní číslo:
- RH6E040BGTB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 125A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | R65 | |
| Typ balení | HSMT-8 | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 78W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 125A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada R65 | ||
Typ balení HSMT-8 | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 78W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Výkonový tranzistor ROHM Power MOSFET má nízký zapínací odpor a je uložen v kompaktním, vysoce výkonném pouzdře s malým tvarem. Je vhodný pro různé aplikace, včetně spínání, pohonů motorů a DC/DC měničů, a poskytuje efektivní výkon v prostředí s omezeným prostorem.
Pokovování bez obsahu Pb
V souladu s RoHS
Vysoce výkonné balení s malou formou
Nízký odpor při zapnutí
100 % Rg a UIS testováno
Související odkazy
- MOSFET RQ3P300BHTB1 Typ N-kanálový 39 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L060BGTB1 Typ N-kanálový 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3 MOSFET RQ3L070BGTB1 Typ N-kanálový 20 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RH6R025BH MOSFET Typ N-kanálový 25 A 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RH6R025BH MOSFET RH6R025BHTB1 Typ N-kanálový 25 A 150 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3G100GN MOSFET RQ3G100GNTB Typ N-kanálový 27 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HT8 MOSFET HT8KC6TB1 Typ N-kanálový 15 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: RH6 MOSFET RH6L040BGTB1 Typ N-kanálový 65 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 1