řada: RJ1 MOSFET RJ1P07CBHTL1 Typ N-kanálový 120 A 100 V, TO-263AB, počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 264-884
- Výrobní číslo:
- RJ1P07CBHTL1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
142,77 Kč
(bez DPH)
172,752 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 16. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 71,385 Kč | 142,77 Kč |
| 20 - 198 | 64,345 Kč | 128,69 Kč |
| 200 - 998 | 59,405 Kč | 118,81 Kč |
| 1000 - 1998 | 55,08 Kč | 110,16 Kč |
| 2000 + | 44,705 Kč | 89,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-884
- Výrobní číslo:
- RJ1P07CBHTL1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263AB | |
| Řada | RJ1 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 135W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 73.0nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263AB | ||
Řada RJ1 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 135W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 73.0nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Výkonový MOSFET ROHM Nch 100V 120A TO-263AB s nízkým zapínacím odporem a vysokým výkonem v malém balení, vhodný pro spínání.
Nízký odpor při zapnutí
Vysoce výkonné malé pouzdro (TO263AB)
Bezplášťové pokovování a splnění požadavků RoHS
100% testováno systémem UIS
Související odkazy
- řada: RJ1 MOSFET RJ1R10BBHTL1 Typ N-kanálový 105 A 150 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- řada: RJ1 MOSFET RJ1P04BBHTL1 Typ N-kanálový 80 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- řada: RJ1 MOSFET RJ1P10BBHTL1 Typ N-kanálový 170 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- řada: RJ1 Jednoduché tranzistory MOSFET RJ1R04BBHTL1 Typ N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET RJ1G10BBGTL1 N kanál-kanálový 280 A 40 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET RJ1L10BBGTL1 N kanál-kanálový 240 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: RJ1N04BBHT Jednoduché tranzistory MOSFET RJ1N04BBHTL1 Typ N-kanálový 80 V ROHM počet kolíků: 3
- řada: RX3P07CBH MOSFET Typ N-kanálový 120 A 100 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení