řada: RJ1 MOSFET RJ1P10BBHTL1 Typ N-kanálový 170 A 100 V, TO-263AB, počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 264-878
- Výrobní číslo:
- RJ1P10BBHTL1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
161,79 Kč
(bez DPH)
195,77 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 16. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 161,79 Kč |
| 10 - 99 | 145,48 Kč |
| 100 - 499 | 134,37 Kč |
| 500 - 999 | 124,49 Kč |
| 1000 + | 101,27 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-878
- Výrobní číslo:
- RJ1P10BBHTL1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 170A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | RJ1 | |
| Typ balení | TO-263AB | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.0mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 189W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 170A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada RJ1 | ||
Typ balení TO-263AB | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.0mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 189W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM Nch 100V 170A TO-263AB s nízkým zapínacím odporem a vysokým výkonem v malém balení vhodném pro spínání.
Nízký odpor při zapnutí
Vysoce výkonné malé pouzdro (TO263AB)
Bezplášťové pokovování a splnění požadavků RoHS
100% testováno systémem UIS
Související odkazy
- řada: RJ1 MOSFET RJ1R10BBHTL1 Typ N-kanálový 105 A 150 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- řada: RJ1 MOSFET RJ1P04BBHTL1 Typ N-kanálový 80 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- řada: RJ1 MOSFET RJ1P07CBHTL1 Typ N-kanálový 120 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový ROHM Vylepšení 1
- řada: RJ1 Jednoduché tranzistory MOSFET RJ1R04BBHTL1 Typ N-kanálový 150 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET RJ1G10BBGTL1 N kanál-kanálový 280 A 40 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET RJ1L10BBGTL1 N kanál-kanálový 240 A 60 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: RX3P10BBH MOSFET Typ N-kanálový 170 A 100 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: RX3P10BBH MOSFET RX3P10BBHC16 Typ N-kanálový 170 A 100 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení