řada: HP8J MOSFET HP8JE5TB1 Typ P-kanálový 12.5 A 100 V, HSOP-8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 264-654
- Výrobní číslo:
- HP8JE5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
147,21 Kč
(bez DPH)
178,125 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 95 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 30. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 29,442 Kč | 147,21 Kč |
| 50 - 95 | 27,96 Kč | 139,80 Kč |
| 100 - 495 | 25,886 Kč | 129,43 Kč |
| 500 - 995 | 23,81 Kč | 119,05 Kč |
| 1000 + | 22,922 Kč | 114,61 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-654
- Výrobní číslo:
- HP8JE5TB1
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HSOP-8 | |
| Řada | HP8J | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 127mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 21W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HSOP-8 | ||
Řada HP8J | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 127mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 21W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
ROHM Semiconductor je dvoukanálový MOSFET navržený pro efektivní spínání a pohon motorů. Vyznačuje se nízkým zapínacím odporem a vysokým rozptylem energie, takže je ideální pro vysoce výkonné obvody. Zařízení je umístěno v pouzdře 8HSOP, které zajišťuje kompaktní a spolehlivou povrchovou montáž.
V souladu s RoHS
Balíček s vysokým výkonem
Pokovování bez obsahu Pb
Bez halogenů
Rg a UIS testováno
Související odkazy
- řada: RS1G120MN MOSFET RS1G120MNTB Typ N-kanálový 34 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS1 MOSFET RS1N110ATTB1 Typ P-kanálový 43 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6E120BGTB1 Typ N-kanálový 270 A 30 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6G120BHTB1 Typ N-kanálový 210 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HP8KE5 MOSFET HP8KE5TB1 Duální N-kanálový 8.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RQ3N060AT MOSFET RQ3N060ATTB1 Typ P-kanálový 18 A 80 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: RS6 MOSFET RS6L120BHTB1 Typ N-kanálový 150 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HT8KE5H MOSFET HT8KE5HTB1 Duální N-kanálový 6.5 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení