řada: NSF060120D7A0 MOSFET NSF060120D7A0J N-kanálový 38.27 A 1200 V Nexperia, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-446
- Výrobní číslo:
- NSF060120D7A0J
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka, na pásce po 1 ks)*
429,34 Kč
(bez DPH)
519,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 778 jednotka(y) budou odesílané od 29. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 429,34 Kč |
| 10 - 99 | 386,41 Kč |
| 100 + | 356,01 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-446
- Výrobní číslo:
- NSF060120D7A0J
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 38.27A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | NSF060120D7A0 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 38.27A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada NSF060120D7A0 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor Nexperia SiC Power MOSFET je dodáván v kompaktním 7pólovém plastovém pouzdře TO-263 pro povrchovou montáž na desky plošných spojů. Díky vynikající teplotní stabilitě RDS(on) a vysoké rychlosti spínání je ideální pro výkonné a vysokonapěťové průmyslové aplikace, včetně infrastruktury pro nabíjení elektromobilů, fotovoltaických střídačů a pohonů motorů.
Rychlé zpětné obnovení
Rychlé přepínání
Ztráty při vypínání nezávislé na teplotě
Velmi rychlá a robustní dioda s vlastním tělem
Související odkazy
- MOSFET N-kanálový 75 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 17 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 40 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NSF060120L4A0Q N-kanálový 1200 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NSF060120L3A0Q N-kanálový 1200 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NSF030120L4A0Q N-kanálový 1200 V Nexperia počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NSF030120D7A0 MOSFET NSF030120D7A0J Typ N-kanálový 67 A 1200 V Nexperia počet kolíků: 7 kolíkový
- MOSFET SCT4062KW7TL N-kanálový 24 A 1200 V ROHM počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení