MOSFET PSMN4R6-60BS,118 Typ N-kanálový 100 A 60 V Nexperia, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 798-2987
- Výrobní číslo:
- PSMN4R6-60BS,118
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 4 kusech)*
146,02 Kč
(bez DPH)
176,684 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 468 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 36,505 Kč | 146,02 Kč |
| 20 - 76 | 32,06 Kč | 128,24 Kč |
| 80 - 196 | 28,158 Kč | 112,63 Kč |
| 200 - 396 | 26,28 Kč | 105,12 Kč |
| 400 + | 24,798 Kč | 99,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 798-2987
- Výrobní číslo:
- PSMN4R6-60BS,118
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 211W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.5mm | |
| Délka | 10.3mm | |
| Šířka | 11 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 211W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.5mm | ||
Délka 10.3mm | ||
Šířka 11 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
Tranzistory MOSFET, polovodiče NXP
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PSMN1R7-60BS TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 120 A 60 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PSMN4R3-30BL TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 100 A 30 V Nexperia počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PSMN3R4-30BLE MOSFET PSMN3R4-30BLE TO-263 Nexperia, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: PSM MOSFET PSMN1R5-30BLEJ Typ N-kanálový 120 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET PSMN4R5-40BS D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
