řada: NextPowerS3 Technology MOSFET PSMN1R4-30YLDX Typ N-kanálový 100 A 30 V Nexperia, LFPAK, počet kolíků: 5 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 219-402
- Výrobní číslo:
- PSMN1R4-30YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
40,26 Kč
(bez DPH)
48,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 500 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 40,26 Kč |
| 10 - 99 | 36,56 Kč |
| 100 - 499 | 33,59 Kč |
| 500 - 999 | 31,37 Kč |
| 1000 + | 27,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-402
- Výrobní číslo:
- PSMN1R4-30YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | NextPowerS3 Technology | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.42mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27.6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 166W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada NextPowerS3 Technology | ||
Typ balení LFPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.42mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27.6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 166W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
N-kanálový tranzistor Nexperia MOSFET z portfolia NextPowerS3 využívající jedinečnou technologii SchottkyPlus společnosti NXP poskytuje vysokou účinnost a nízký špičkový výkon, který je obvykle spojen s tranzistory MOSFET s integrovanou Schottkyho nebo Schottkymu podobnou diodou, ale bez problematického vysokého svodového proudu. NextPowerS3 je vhodný zejména pro aplikace s vysokou účinností při vysokých spínacích frekvencích.
Nízká parazitní indukčnost a odpor
Vysoce spolehlivý klipový spoj a pájení na matrici Napájecí pouzdro SO8
Pájení vlnou je možné
Superrychlé přepínání s jemnou obnovou
Související odkazy
- řada: NextPowerS3 Technology MOSFET PSMN1R4-30YLDX Typ N-kanálový 100 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: NextPowerS3 MOSFET PSMN1R2-30YLDX Typ N-kanálový 250 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: NextPowerS3 MOSFET PSMN0R9-30YLDX Typ N-kanálový 300 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: NextPower-S3 technology MOSFET PSMN1R4-40YLDX Typ N-kanálový 240 A 40 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: NextPowerS3 MOSFET PSMN014-40HLDX Typ N-kanálový 42 A 40 V Nexperia počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NextPowerS3 MOSFET PSMN1R2-25YLDX Typ N-kanálový 230 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: NextPowerS3 MOSFET PSMN1R5-25MLHX Typ N-kanálový 150 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN6R1-30YLDX Typ N-kanálový 66 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení