řada: NextPowerS3 MOSFET PSMN1R2-25YLDX N-kanálový 230 A 25 V Nexperia, LFPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

32,11 Kč

(bez DPH)

38,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 500 jednotka(y) budou odesílané od 29. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

páska, -y
za pásku
1 - 932,11 Kč
10 - 9928,65 Kč
100 - 49926,43 Kč
500 - 99924,70 Kč
1000 +21,98 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
219-423
Výrobní číslo:
PSMN1R2-25YLDX
Výrobce:
Nexperia
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Nexperia

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

230A

Maximální napětí na zdroji Vds

25V

Řada

NextPowerS3

Typ balení

LFPAK

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

5

Maximální odpor zdroje Rds

1.2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

34.4nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

172W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH
N-kanálový tranzistor Nexperia MOSFET z portfolia NextPowerS3 využívající jedinečnou technologii SchottkyPlus společnosti NXP poskytuje vysokou účinnost a nízký špičkový výkon, který je obvykle spojován s tranzistory MOSFET s integrovanou Schottkyho nebo Schottkymu podobnou diodou, ale bez problematického vysokého svodového proudu. NextPowerS3 je vhodný zejména pro aplikace s vysokou účinností při vysokých spínacích frekvencích.

Nízká parazitní indukčnost a odpor

Vysoce spolehlivý klipový spoj a pájení na matrici Napájecí pouzdro SO8

Pájení vlnou je možné

Superrychlé přepínání s jemnou obnovou

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.