řada: PSM MOSFET PSMN1R7-25YLDX Typ N-kanálový 200 A 25 V Nexperia, LFPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*

26,68 Kč

(bez DPH)

32,28 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

páska, -y
za pásku
1 - 926,68 Kč
10 - 9923,71 Kč
100 - 49921,98 Kč
500 - 99920,50 Kč
1000 +18,28 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
219-281
Výrobní číslo:
PSMN1R7-25YLDX
Výrobce:
Nexperia
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Nexperia

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

200A

Maximální napětí na zdroji Vds

25V

Typ balení

LFPAK

Řada

PSM

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

5

Maximální odpor zdroje Rds

1.75mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

135W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

46.7nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH
N-kanálový tranzistor Nexperia MOSFET z portfolia NextPowerS3 využívající jedinečnou technologii SchottkyPlus společnosti NXP poskytuje vysokou účinnost a nízký špičkový výkon, který je obvykle spojen s tranzistory MOSFET s integrovanou Schottkyho nebo Schottkymu podobnou diodou, ale bez problematického vysokého svodového proudu. NextPowerS3 je vhodný zejména pro aplikace s vysokou účinností při vysokých spínacích frekvencích.

Nízká parazitní indukčnost a odpor

Vysoce spolehlivý klipový spoj a pájení na matrici Napájecí pouzdro SO8

Pájení vlnou je možné

Superrychlé přepínání s jemnou obnovou

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.