řada: PSM MOSFET PSMN0R9-25YLDX N-kanálový 300 A 25 V Nexperia, LFPAK, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-306
- Výrobní číslo:
- PSMN0R9-25YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Mezisoučet (1500 jednotky/-ek, v kotouči po 1500 ks)*
63 546,00 Kč
(bez DPH)
76 890,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1500 + | 42,364 Kč | 63 546,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-306
- Výrobní číslo:
- PSMN0R9-25YLDX
- Výrobce:
- Nexperia
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Nexperia | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Řada | PSM | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.85mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 47.2nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 238W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 10V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Nexperia | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Typ balení LFPAK | ||
Řada PSM | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.85mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 47.2nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 238W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 10V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
N-kanálový tranzistor Nexperia MOSFET z portfolia NextPowerS3 využívající jedinečnou technologii SchottkyPlus společnosti NXP poskytuje vysokou účinnost a nízký špičkový výkon, který je obvykle spojen s tranzistory MOSFET s integrovanou Schottkyho nebo Schottkymu podobnou diodou, ale bez problematického vysokého svodového proudu. NextPowerS3 je vhodný zejména pro aplikace s vysokou účinností při vysokých spínacích frekvencích.
Nízká parazitní indukčnost a odpor
Vysoce spolehlivý klipový spoj a pájení na matrici Napájecí pouzdro SO8
Pájení vlnou je možné
Superrychlé přepínání s jemnou obnovou
Související odkazy
- řada: PSM MOSFET PSMN0R9-25YLDX N-kanálový 300 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN5R4-25YLDX N-kanálový 70 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN6R0-25YLDX N-kanálový 61 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN1R0-25YLDX N-kanálový 240 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN1R7-25YLDX N-kanálový 200 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSM MOSFET PSMN2R0-25YLDX N-kanálový 179 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: NextPowerS3 MOSFET PSMN0R9-30YLDX N-kanálový 300 A 30 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: PSMN0R7 MOSFET PSMN0R7-25YLDX N-kanálový 300 A 25 V Nexperia počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení