řada: MDmesh II MOSFET STD13NM60N Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-952P
- Výrobní číslo:
- STD13NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
3 855,70 Kč
(bez DPH)
4 665,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 2 250 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 95 | 77,114 Kč |
| 100 - 495 | 71,384 Kč |
| 500 - 995 | 65,752 Kč |
| 1000 + | 63,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-952P
- Výrobní číslo:
- STD13NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | MDmesh II | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.36Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada MDmesh II | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.36Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
100% lavinově testováno
Nízká vstupní kapacita a náboj hradla
Nízký vstupní odpor hradla