řada: MDmesh II MOSFET STD13NM60N N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, výrobce končí s její výrobou.
Skladové číslo RS:
151-951
Výrobní číslo:
STD13NM60N
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

11A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

MDmesh II

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.36Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

27nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25V

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

10.1mm

Výška

2.4mm

Šířka

6.6mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.

100% lavinově testováno

Nízká vstupní kapacita a náboj hradla

Nízký vstupní odpor hradla

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.