řada: MDmesh II MOSFET STD13NM60N N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-952
- Výrobní číslo:
- STD13NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
432,74 Kč
(bez DPH)
523,615 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- Posledních 2 245 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 86,548 Kč | 432,74 Kč |
| 50 - 120 | 74,644 Kč | 373,22 Kč |
| 125 + | 58,49 Kč | 292,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-952
- Výrobní číslo:
- STD13NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | MDmesh II | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.36Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada MDmesh II | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.36Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
100% lavinově testováno
Nízká vstupní kapacita a náboj hradla
Nízký vstupní odpor hradla
Související odkazy
- řada: MDmesh II MOSFET STD13NM60N N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 11 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET STD15N65M5 N-kanálový 11 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STD7NM60N N-kanálový 5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3