řada: MDmesh II MOSFET STD13NM60N Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*

406,07 Kč

(bez DPH)

491,345 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za pásku*
5 - 4581,214 Kč406,07 Kč
50 - 9577,114 Kč385,57 Kč
100 - 49571,384 Kč356,92 Kč
500 - 99565,752 Kč328,76 Kč
1000 +63,48 Kč317,40 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
151-952
Výrobní číslo:
STD13NM60N
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

11A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-252

Řada

MDmesh II

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.36Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.5V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

27nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

10.1mm

Výška

2.4mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, čímž dosahuje jednoho z nejnižších odporů a náboje na hradle na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.

100% lavinově testováno

Nízká vstupní kapacita a náboj hradla

Nízký vstupní odpor hradla

Související odkazy