řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z Typ N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-935
- Výrobní číslo:
- STD2HNK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 páska po 20 kusech)*
522,90 Kč
(bez DPH)
632,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 26,145 Kč | 522,90 Kč |
| 200 - 480 | 24,811 Kč | 496,22 Kč |
| 500 - 980 | 22,984 Kč | 459,68 Kč |
| 1000 - 1980 | 21,205 Kč | 424,10 Kč |
| 2000 + | 20,402 Kč | 408,04 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-935
- Výrobní číslo:
- STD2HNK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 10.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 10.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH založeného na páskách. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z Typ N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH Napájecí SuperMESH MOSFET STB4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků:
- řada: SuperMESH Napájecí SuperMESH MOSFET Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD2NK100Z Typ N-kanálový 85 A 1000 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový