řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z Typ N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 20 kusech)*

156,86 Kč

(bez DPH)

189,80 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 420 jednotka(y) budou odesílané od 06. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za pásku*
20 - 1807,843 Kč156,86 Kč
200 - 4807,435 Kč148,70 Kč
500 - 9806,892 Kč137,84 Kč
1000 - 19806,361 Kč127,22 Kč
2000 +6,126 Kč122,52 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
151-935
Výrobní číslo:
STD2HNK60Z
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-252

Řada

SuperMESH

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

4.8Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

±30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

11nC

Přímé napětí Vf

1.6V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

10.1mm

Normy/schválení

RoHS

Výška

2.4mm

Šířka

6.6 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH založeného na páskách. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.

100% lavinově testováno

Minimalizace náboje na hradle

Velmi nízká vnitřní kapacita

Zenerova ochrana

Související odkazy