řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-935
- Výrobní číslo:
- STD2HNK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 200 kusů a ušetřete 13%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 20 kusech)*
564,40 Kč
(bez DPH)
683,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 380 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | 28,22 Kč | 564,40 Kč | - |
| 200 - 480 | 24,317 Kč | 486,34 Kč | 13% |
| 500 + | 19,069 Kč | 381,38 Kč | 32% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-935
- Výrobní číslo:
- STD2HNK60Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH založeného na páskách. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK80ZT4 N-kanálový 3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD5NK40ZT4 N-kanálový 3 A 400 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD5NK50ZT4 N-kanálový 4.4 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperMESH MOSFET STD1NK80ZT4 N-kanálový 1 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení