řada: SuperMESH MOSFET STD2NK100Z Typ N-kanálový 85 A 1000 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-902
- Výrobní číslo:
- STD2NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 10 kusech)*
468,31 Kč
(bez DPH)
566,66 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 870 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 46,831 Kč | 468,31 Kč |
| 100 - 490 | 33,246 Kč | 332,46 Kč |
| 500 - 990 | 26,874 Kč | 268,74 Kč |
| 1000 - 2490 | 25,935 Kč | 259,35 Kč |
| 2500 + | 22,576 Kč | 225,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-902
- Výrobní číslo:
- STD2NK100Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 85A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1000V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | SuperMESH | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Maximální provozní teplota | 159°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 85A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1000V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada SuperMESH | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Maximální provozní teplota 159°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET, to je vysokonapěťové zařízení se Zenerem chráněným N-kanálem vyvinuté pomocí technologie SuperMESH , která je optimalizací zavedeného PowerMESH. Kromě výrazného snížení zapínacího odporu je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana
Související odkazy
- řada: SuperMESH MOSFET STD2NK100Z Typ N-kanálový 85 A 1000 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD5NK40ZT4 Typ N-kanálový 3 A 400 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD3NK60ZT4 Typ N-kanálový 2.4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD4NK80ZT4 Typ N-kanálový 3 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD5NK50ZT4 Typ N-kanálový 4.4 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD1NK80ZT4 Typ N-kanálový 1 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SuperMESH MOSFET STD2HNK60Z Typ N-kanálový 2 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový