řada: STripFET F6 MOSFET STD35P6LLF6 Typ P-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-912
- Výrobní číslo:
- STD35P6LLF6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
228,23 Kč
(bez DPH)
276,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 410 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 45,646 Kč | 228,23 Kč |
| 50 - 95 | 43,472 Kč | 217,36 Kč |
| 100 - 495 | 40,31 Kč | 201,55 Kč |
| 500 - 995 | 37,00 Kč | 185,00 Kč |
| 1000 + | 35,568 Kč | 177,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-912
- Výrobní číslo:
- STD35P6LLF6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 35A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET F6 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.028Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET F6 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.028Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
P-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics, vyvinutý technologií STripFET F6, s novou strukturou příkopového hradla. Výsledný výkonový tranzistor MOSFET vykazuje velmi nízké RDS(on) ve všech baleních.
Velmi nízký zapínací odpor
Velmi nízký náboj hradla
Vysoká lavinová odolnost
Nízká ztráta výkonu při pohonu hradla
Související odkazy
- řada: STripFET F6 MOSFET STD35P6LLF6 Typ P-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD30NF06LT4 Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD35NF06T4 Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET STD26P3LLH6 Typ P-kanálový 12 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 10 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STD35NF06LT4 Typ N-kanálový 35 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový