řada: MDmesh M9 MOSFET STWA65N045M9 N-kanálový 54 A 650 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-781
- Výrobní číslo:
- STWA65N045M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 150 kusů a ušetřete 1%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
5 118,84 Kč
(bez DPH)
6 193,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | 170,628 Kč | 5 118,84 Kč | - |
| 150 + | 168,52 Kč | 5 055,60 Kč | 1% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-781
- Výrobní číslo:
- STWA65N045M9
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 54A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh M9 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 312W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 15.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 20.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 54A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh M9 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 312W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 15.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 20.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics, I t je založen na nejinovativnější technologii super-junction MDmesh M9, která je vhodná pro MOSFETy pro střední/vysoké napětí s velmi nízkým RDS(on) na plochu. Technologie M9 na bázi křemíku těží z výrobního procesu s více odtoky, který umožňuje vylepšenou strukturu zařízení. Výsledný produkt má jeden z nejnižších zapínacích odporů a snížených hodnot náboje hradla mezi všemi výkonovými tranzistory MOSFET s rychlým spínáním na bázi křemíku, takže je vhodný zejména pro aplikace, které vyžadují vynikající hustotu výkonu a mimořádnou účinnost
Vyšší jmenovitá hodnota VDSS
Vyšší schopnost dv/dt
Vynikající spínací výkon
Snadné řízení
Související odkazy
- řada: MDmesh M9 MOSFET STWA65N045M9 N-kanálový 54 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 18 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 69 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 26 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 32 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení