řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 920-8830
- Výrobní číslo:
- STW42N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
4 504,05 Kč
(bez DPH)
5 449,89 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 540 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 150,135 Kč | 4 504,05 Kč |
| 60 - 120 | 148,291 Kč | 4 448,73 Kč |
| 150 + | 146,479 Kč | 4 394,37 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 920-8830
- Výrobní číslo:
- STW42N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 33A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh M5 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 79mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 33A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh M5 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 79mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh M5 MOSFET STW42N65M5 Typ N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 69 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET STW77N65M5 Typ N-kanálový 69 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M5 MOSFET STW30N65M5 Typ N-kanálový 22 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M5 MOSFET STB42N65M5 Typ N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový