řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 Typ N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 151-440P
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
6 019,40 Kč
(bez DPH)
7 283,40 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 480 | 30,097 Kč |
| 500 - 980 | 27,924 Kč |
| 1000 - 1980 | 25,701 Kč |
| 2000 + | 24,725 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-440P
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 2.39mm | |
| Délka | 10.34mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 2.39mm | ||
Délka 10.34mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana