řada: SuperMESH MOSFET STD4NK60ZT4 N-kanálový 4 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 151-440P
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
5 878,60 Kč
(bez DPH)
7 113,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 4 980 jednotka(y) budou odesílané od 07. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 480 | 29,393 Kč |
| 500 + | 23,045 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-440P
- Výrobní číslo:
- STD4NK60ZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SuperMESH | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.34mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Šířka | 6.73mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SuperMESH | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.34mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Šířka 6.73mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový MOSFET společnosti STMicroelectronics vyvinutý pomocí technologie Super MESH, které bylo dosaženo optimalizací dobře zavedeného uspořádání Power MESH. Kromě výrazného snížení odporu při zapnutí je toto zařízení navrženo tak, aby zajistilo vysokou úroveň schopnosti dv/dt pro nejnáročnější aplikace.
100% lavinově testováno
Minimalizace náboje na hradle
Velmi nízká vnitřní kapacita
Zenerova ochrana