řada: MDmesh II MOSFET STL3NM60N Typ N-kanálový 2.2 A 600 V STMicroelectronics, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, počet kolíků:

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 páska po 10 kusech)*

417,92 Kč

(bez DPH)

505,68 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 4 720 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za pásku*
10 - 9041,792 Kč417,92 Kč
100 - 24039,742 Kč397,42 Kč
250 - 49036,778 Kč367,78 Kč
500 - 99033,765 Kč337,65 Kč
1000 +32,629 Kč326,29 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
151-423
Výrobní číslo:
STL3NM60N
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Řada

MDmesh II

Typ balení

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

1.5Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Přímé napětí Vf

1.6V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

9.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

22W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MY
Výkonové tranzistory STMicroelectronics Power MOSFET jsou vyvinuty pomocí druhé generace technologie MDmesh. Tento revoluční výkonový tranzistor MOSFET spojuje vertikální strukturu s páskovým uspořádáním společnosti, což umožňuje dosáhnout jednoho z nejnižších odporů na světě. Je proto vhodný pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.

100% lavinově testováno

Nízká vstupní kapacita a náboj hradla

Související odkazy